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欧洲杯滚球:AMD公布3D封装技术:处理器与内存、缓存通过硅穿孔堆叠在一起
本文摘要:现阶段的智能机普遍构建了CPUSoC和运行内存(DRAM)的添充式PCB(PoP),从AMD日前发布的信息看来,PC商品也将来可能构建类似的技术。

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现阶段的智能机普遍构建了CPUSoC和运行内存(DRAM)的添充式PCB(PoP),从AMD日前发布的信息看来,PC商品也将来可能构建类似的技术。在RiceOil&Gas大数据处理出去大会上,AMD副总裁ForrestNorrod解读,她们因此以第一时间三维PCB技术,总体目标是将DRAM/SRAM(即运行内存等)和CPU(CPU/GPU)根据TSV(硅破孔)的方法统合在一颗芯片中。只不过是先前,AMD就首次开售了HBMRAM商品,构建了GPU芯片和RAM芯片统合PCB,但那代表着属于2.5D计划方案。

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三维添充的好处取决于增加了电流量传输途径,也就是不容易降低功耗。但是,三维PCB的挑戰取决于怎样操控筋挛。心寒的是,AMD未发布更为多技术关键点。

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AMD称作,尽管光刻技术在磨炼,可是頻率乃至要刚开始走下坡,务必一些新的设计方案助推。只不过是Intel2020年也发布了起名叫Foveros的三维芯片PCB技术,将22nmI/O基钢板、10nmSunnyCore和四核Atom统合在一起,功能损耗仅有7瓦。

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